VT6M1T2CR
- Artikelnummer:
- VT6M1T2CR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 43520 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.VT6M1T2CR.pdf2.VT6M1T2CR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 100µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | VMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Leistung - max: | 120mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-SMD, Flat Leads |
| Andere Namen: | VT6M1T2CRTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.1pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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