SSM6L35FE,LM
- Artikelnummer:
- SSM6L35FE,LM
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 21590 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.SSM6L35FE,LM.pdf2.SSM6L35FE,LM.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6L35FE(TE85LF)TR SSM6L35FE(TE85LF)TR-ND SSM6L35FE,LM(B SSM6L35FE,LM(T SSM6L35FELM(TTR SSM6L35FELM(TTR-ND SSM6L35FELMTR SSM6L35FETE85LF |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.5pF @ 3V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 180mA, 100mA |
| Basisteilenummer: | SSM6L35 |
| Email: | [email protected] |
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