SSM6L09FUTE85LF
- Artikelnummer:
- SSM6L09FUTE85LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 51590 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SSM6L09FUTE85LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 100µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | US6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 700 mOhm @ 200MA, 10V |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | SSM6L09FUTE85LFCT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 20pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 400mA, 200mA |
| Email: | [email protected] |
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