SQS966ENW-T1_GE3
- Artikelnummer:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN 60V
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 35890 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SQS966ENW-T1_GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8W |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 36 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Leistung - max: | 27.8W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8W |
| Andere Namen: | SQS966ENW-T1_GE3DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 572pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.8nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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