SIZ328DT-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIZ328DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 9936 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SIZ328DT-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-Power33 (3x3) |
| Serie: | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V |
| Leistung - max: | 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerWDFN |
| Andere Namen: | SIZ328DT-T1-GE3DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 10V, 600pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 25V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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