SIS990DN-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIS990DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19330 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SIS990DN-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 8A, 10V |
| Leistung - max: | 25W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Andere Namen: | SIS990DN-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12.1A |
| Email: | [email protected] |
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