RN1910FE(T5L,F,T)
- Artikelnummer:
- RN1910FE(T5L,F,T)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 67471 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- RN1910FE(T5L,F,T).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | - |
| Widerstand - Basis (R1): | 4.7 kOhms |
| Leistung - max: | 100mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | RN1910FE(T5LFT)CT |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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