RN1108CT(TPL3)
- Artikelnummer:
- RN1108CT(TPL3)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 36174 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- RN1108CT(TPL3).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 20V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | CST3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 22 kOhms |
| Leistung - max: | 50mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-101, SOT-883 |
| Andere Namen: | RN1108CT(TPL3)TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
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