PDTA115TS,126
- Artikelnummer:
- PDTA115TS,126
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 41556 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- PDTA115TS,126.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Basis (R1): | 100 kOhms |
| Leistung - max: | 500mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen: | 934058778126 PDTA115TS AMO PDTA115TS AMO-ND |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | PDTA115 |
| Email: | [email protected] |
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