NTZD5110NT1G
- Artikelnummer:
- NTZD5110NT1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17531 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NTZD5110NT1G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Leistung - max: | 250mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | NTZD5110NT1G-ND NTZD5110NT1GOSTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 45 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 24.5pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.7nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 294mA |
| Basisteilenummer: | NTZD5110N |
| Email: | [email protected] |
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