NTQS6463R2
- Artikelnummer:
- NTQS6463R2
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 11898 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NTQS6463R2.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-TSSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 930mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Andere Namen: | NTQS6463R2OS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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