NTLJF3117PT1G
- Artikelnummer:
- NTLJF3117PT1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 45198 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NTLJF3117PT1G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-WDFN (2x2) |
| Serie: | µCool™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 710mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | NTLJF3117PT1G-ND NTLJF3117PT1GOSTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 35 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 531pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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