NSM46211DW6T1G
- Artikelnummer:
- NSM46211DW6T1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 23066 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NSM46211DW6T1G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V, 65V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
| Leistung - max: | 230mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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