Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1.68W |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen: | NJVNJD2873T4G-VF01OSCT NJVNJD2873T4GOSCT NJVNJD2873T4GOSCT-ND |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 65MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 2A |
Basisteilenummer: | NJD2873 |
Email: | [email protected] |