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IXFT40N85XHV
IXFT40N85XHV
Artikelnummer:
IXFT40N85XHV
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET NCH 850V 40A TO268HV
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
20725 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IXFT40N85XHV.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-268
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:145 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):860W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):850V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 850V 40A (Tc) 860W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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