IS61DDB21M18A-300B4L
- Artikelnummer:
- IS61DDB21M18A-300B4L
- Hersteller:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Beschreibung:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 64026 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IS61DDB21M18A-300B4L.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.71 V ~ 1.89 V |
| Technologie: | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Supplier Device-Gehäuse: | 165-LFBGA (13x15) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 165-LBGA |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 300MHz 165-LFBGA (13x15) |
| Uhrfrequenz: | 300MHz |
| Email: | [email protected] |
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