IS61DDB21M18A-300B4L
IS61DDB21M18A-300B4L
Modelo do Produto:
IS61DDB21M18A-300B4L
Fabricante:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrição:
IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
64026 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IS61DDB21M18A-300B4L.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.71 V ~ 1.89 V
Tecnologia:SRAM - Synchronous, DDR II
Embalagem do dispositivo fornecedor:165-LFBGA (13x15)
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:165-LBGA
Temperatura de operação:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:18Mb (1M x 18)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:SRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 300MHz 165-LFBGA (13x15)
Freqüência de relógio:300MHz
Email:[email protected]

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