GT10J312(Q)
- Artikelnummer:
- GT10J312(Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 40771 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- GT10J312(Q).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Testbedingung: | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 400ns/400ns |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220SM |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 200ns |
| Leistung - max: | 60W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 20A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 10A |
| Basisteilenummer: | GT10 |
| Email: | [email protected] |
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