GA20JT12-247
- Artikelnummer:
- GA20JT12-247
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS SJT 1.2KV 20A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 28387 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- GA20JT12-247.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247AB |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 70 mOhm @ 20A |
| Verlustleistung (max): | 282W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Andere Namen: | 1242-1188 GA20JT12247 |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V |
| detaillierte Beschreibung: | 1200V 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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