FGA70N33BTDTU
- Artikelnummer:
- FGA70N33BTDTU
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 330V 149W TO3P
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 26719 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FGA70N33BTDTU.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 330V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.7V @ 15V, 70A |
| Testbedingung: | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | - |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 23ns |
| Leistung - max: | 149W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench |
| Gate-Ladung: | 49nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 220A |
| Email: | [email protected] |
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