FDB1D7N10CL7
- Artikelnummer:
- FDB1D7N10CL7
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
- verfügbare Anzahl:
- 79341 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FDB1D7N10CL7.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263) |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.65 mOhm @ 100A, 15V |
| Verlustleistung (max): | 250W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Bleifreier Status: | Lead free |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 11600pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 163nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 15V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 268A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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