FDB1D7N10CL7
- Modello di prodotti:
- FDB1D7N10CL7
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
- quantità disponibile:
- 79341 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- FDB1D7N10CL7.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263) |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.65 mOhm @ 100A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Stato senza piombo: | Lead free |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11600pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 163nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 15V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 268A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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