FCP600N65S3R0
- Artikelnummer:
- FCP600N65S3R0
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- SUPERFET3 650V TO220 PKG
- verfügbare Anzahl:
- 7690 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FCP600N65S3R0.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 600µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220-3 |
| Serie: | SuperFET® III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 54W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Bleifreier Status: | Lead free |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 465pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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