FCP600N65S3R0
Modelo do Produto:
FCP600N65S3R0
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
SUPERFET3 650V TO220 PKG
Quantidade disponível:
7690 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FCP600N65S3R0.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 600µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:SuperFET® III
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):54W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Status sem chumbo:Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:465pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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