DTD113ZUT106
- Artikelnummer:
- DTD113ZUT106
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 41965 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.DTD113ZUT106.pdf2.DTD113ZUT106.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 1 kOhms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-70, SOT-323 |
| Andere Namen: | DTD113ZUT106-ND DTD113ZUT106TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 82 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
| Basisteilenummer: | DTD113 |
| Email: | [email protected] |
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