BSM120D12P2C005
- Artikelnummer:
- BSM120D12P2C005
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 33782 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 22mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Leistung - max: | 780W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Module |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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