BSM120D12P2C005
- Modelo do Produto:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 33782 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 22mA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Power - Max: | 780W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 32 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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