AUIRF7343Q
- Artikelnummer:
- AUIRF7343Q
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 36453 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- AUIRF7343Q.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Leistung - max: | 2W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | SP001517318 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.7A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
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