Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 465V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 250mA, 1A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1.1W |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen: | APT13003HZTR-G1DI APT13003HZTR-G1DI-ND APT13003HZTR-G1DITB |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 4MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 465V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 13 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1.5A |
Email: | [email protected] |