2SA1312GRTE85LF
- Artikelnummer:
- 2SA1312GRTE85LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16565 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2SA1312GRTE85LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | S-Mini |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | 2SA1312GRTE85LFCT |
| Betriebstemperatur: | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 100MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 2mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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