Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | NS-B1 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 300mW |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | NS-B1 |
Andere Namen: | 2SA1309A-R(TA) 2SA1309ARATB 2SA1309ARTA 2SA1309ARTB 2SA1309ARTB-ND |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 80MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 210 @ 2mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Basisteilenummer: | 2SA1309 |
Email: | [email protected] |