SI1025X-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 27088 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SI1025X-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SC-89-6 |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Power - Max: | 250mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 23pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.7nC @ 15V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 190mA |
| Número da peça base: | SI1025 |
| Email: | [email protected] |
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