SI1025X-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 27088 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI1025X-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | SC-89-6 |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Puissance - Max: | 250mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 23pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.7nC @ 15V |
| type de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 190mA |
| Numéro de pièce de base: | SI1025 |
| Email: | [email protected] |
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