GA50JT06-258
Modelo do Produto:
GA50JT06-258
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
TRANS SJT 600V 100A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
60307 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
GA50JT06-258.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-258
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 50A
Dissipação de energia (Max):769W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-258-3, TO-258AA
Outros nomes:1242-1253
Temperatura de operação:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:-
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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