GA50JT06-258
Modello di prodotti:
GA50JT06-258
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
TRANS SJT 600V 100A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
60307 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GA50JT06-258.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):-
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-258
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 50A
Dissipazione di potenza (max):769W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-258-3, TO-258AA
Altri nomi:1242-1253
temperatura di esercizio:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:-
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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