GA50JT06-258
- 제품 모델:
- GA50JT06-258
- 기술:
- TRANS SJT 600V 100A
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 60307 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- GA50JT06-258.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
| Vgs (최대): | - |
| 과학 기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 제조업체 장치 패키지: | TO-258 |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 25 mOhm @ 50A |
| 전력 소비 (최대): | 769W (Tc) |
| 포장: | Bulk |
| 패키지 / 케이스: | TO-258-3, TO-258AA |
| 다른 이름들: | 1242-1253 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 18 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| FET 유형: | - |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
| 상세 설명: | 600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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