EMD30T2R
- Modello di prodotti:
- EMD30T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 49738 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- EMD30T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V, 30V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms, 1 kOhms |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | EMD30T2R-ND EMD30T2RTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 250MHz, 260MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA, 200mA |
| Numero di parte base: | *MD30 |
| Email: | [email protected] |
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