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APTM10HM19FT3G
APTM10HM19FT3G
Modèle de produit:
APTM10HM19FT3G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
23976 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Package composant fournisseur:SP3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 35A, 10V
Puissance - Max:208W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP3
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
type de FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:70A
Email:[email protected]

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