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APTM10HM19FT3G
APTM10HM19FT3G
제품 모델:
APTM10HM19FT3G
제조사:
Microsemi
기술:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
23976 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf
문의

소개

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조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
제조업체 장치 패키지:SP3
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):21 mOhm @ 35A, 10V
전력 - 최대:208W
포장:Bulk
패키지 / 케이스:SP3
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:5100pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:200nC @ 10V
FET 유형:4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징:Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss):100V
상세 설명:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):70A
Email:[email protected]

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