Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM10SKM05TG
APTM10SKM05TG
Modèle de produit:
APTM10SKM05TG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
49302 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTM10SKM05TG.pdf2.APTM10SKM05TG.pdf
Enquête

introduction

We can supply APTM10SKM05TG, use the request quote form to request APTM10SKM05TG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM10SKM05TG.The price and lead time for APTM10SKM05TG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM10SKM05TG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP4
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 125A, 10V
Dissipation de puissance (max):780W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP4
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:20000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:700nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 278A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:278A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APTM10SKM05TG

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APTM10TDUM19PG Image APTM10TDUM19PG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P Enquête
APTM10UM02FAG Microsemi MOSFET N-CH 100V 570A SP6 Enquête
APTM120A20SG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 Enquête
APTM10DUM02G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 Enquête
APTM10TDUM09PG Image APTM10TDUM09PG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P Enquête
APTM10HM09FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 Enquête
APTM120A20DG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 Enquête
APTM120A29FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 Enquête
APTM10DHM09TG Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 Enquête
APTM10HM09FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 Enquête
APTM10HM05FG Image APTM10HM05FG Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 Enquête
APTM10UM01FAG Image APTM10UM01FAG Microsemi MOSFET N-CH 100V 860A SP6 Enquête
APTM10TAM09FPG Image APTM10TAM09FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P Enquête
APTM120A15FG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 Enquête
APTM10DSKM09T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 Enquête
APTM10SKM02G Microsemi MOSFET N-CH 100V 495A SP6 Enquête
APTM10DUM05TG Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 Enquête
APTM10TAM19FPG Image APTM10TAM19FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P Enquête
APTM10DSKM19T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 Enquête
APTM10HM19FT3G Image APTM10HM19FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 Enquête

Latest Nouvelles