RN1702JE(TE85L,F)
RN1702JE(TE85L,F)
Số Phần:
RN1702JE(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
35929 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
RN1702JE(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

We can supply RN1702JE(TE85L,F), use the request quote form to request RN1702JE(TE85L,F) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1702JE(TE85L,F).The price and lead time for RN1702JE(TE85L,F) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1702JE(TE85L,F).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Unused, Original Packing
Gốc Contact us
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ESV
Loạt:-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2):10 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1):10 kOhms
Power - Max:100mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-553
Vài cái tên khác:RN1702JE(TE85LF)TR
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition:250MHz
miêu tả cụ thể:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận