狀況 | New & Unused, Original Packing |
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來源 | Contact us |
電壓 - 測試: | 47pF @ 32.5V |
電壓 - 擊穿: | Die |
VGS(TH)(最大)@標識: | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
系列: | eGaN® |
RoHS狀態: | Tray |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4.1A (Ta) |
極化: | Die |
其他名稱: | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | EPC8009ENGR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 0.38nC @ 5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET特點: | N-Channel |
展開說明: | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 65V |
電容比: | - |
Email: | [email protected] |