SI1029X-T1-GE3
SI1029X-T1-GE3
Parça Numarası:
SI1029X-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
67618 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
SI1029X-T1-GE3.pdf

Giriş

We can supply SI1029X-T1-GE3, use the request quote form to request SI1029X-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI1029X-T1-GE3.The price and lead time for SI1029X-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI1029X-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Özellikler

Şart New & Unused, Original Packing
Menşei Contact us
Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:SC-89-6
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Güç - Max:250mW
paketleme:Cut Tape (CT)
Paket / Kutu:SOT-563, SOT-666
Diğer isimler:SI1029X-T1-GE3CT
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:33 Weeks
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
FET Tipi:N and P-Channel
FET Özelliği:Logic Level Gate
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):60V
Detaylı Açıklama:Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):305mA, 190mA
Temel Parça Numarası:SI1029
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar