เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
Vgs (สูงสุด): | ±8V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | VS-8 (2.9x1.5) |
ชุด: | U-MOSIII |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 700mW (Ta) |
บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SMD, Flat Lead |
ชื่ออื่น: | TPCF8101(TE85LFMCT TPCF8101FCT TPCF8101FCT-ND |
อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1600pF @ 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 12V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 6A (Ta) |
Email: | [email protected] |