SI4501BDY-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI4501BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
70996 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SI4501BDY-T1-GE3.pdf

บทนำ

We can supply SI4501BDY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4501BDY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4501BDY-T1-GE3.The price and lead time for SI4501BDY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4501BDY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SOIC
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 10A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:4.5W, 3.1W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:SI4501BDY-T1-GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:805pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:25nC @ 10V
ประเภท FET:N and P-Channel, Common Drain
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V, 8V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:12A, 8A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest