เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
Vgs (สูงสุด): | ±12V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-3 (TO-236) |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.25W (Tj) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 200pF @ 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.25W (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |