ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFX210N30X3
IXFX210N30X3
IXFX210N30X3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFX210N30X3
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
9830 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IXFX210N30X3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply IXFX210N30X3, use the request quote form to request IXFX210N30X3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFX210N30X3.The price and lead time for IXFX210N30X3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFX210N30X3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PLUS247™-3
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 105A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1250W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:24.2nF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:375nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):300V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 300V 210A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:210A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFX210N30X3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXFX230N20T Image IXFX230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 การสอบสวน
IXFX240N15T2 Image IXFX240N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 การสอบสวน
IXFX24N90Q Image IXFX24N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 การสอบสวน
IXFX24N100Q3 Image IXFX24N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 การสอบสวน
IXFX240N25X3 Image IXFX240N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 การสอบสวน
IXFX24N100 Image IXFX24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 การสอบสวน
IXFX180N25T Image IXFX180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 การสอบสวน
IXFX220N17T2 Image IXFX220N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 การสอบสวน
IXFX20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 การสอบสวน
IXFX20N120P Image IXFX20N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 การสอบสวน
IXFX21N100Q Image IXFX21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 การสอบสวน
IXFX20N120 Image IXFX20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFX24N100F Image IXFX24N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 การสอบสวน
IXFX180N15P Image IXFX180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 การสอบสวน
IXFX180N07 Image IXFX180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247 การสอบสวน
IXFX200N10P Image IXFX200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 การสอบสวน
IXFX210N17T Image IXFX210N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 การสอบสวน
IXFX180N10 Image IXFX180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247 การสอบสวน
IXFX21N100F Image IXFX21N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 การสอบสวน
IXFX180N085 Image IXFX180N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 การสอบสวน

ข่าว Latest