ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFR20N80P
IXFR20N80P
IXFR20N80P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFR20N80P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
78106 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
IXFR20N80P.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply IXFR20N80P, use the request quote form to request IXFR20N80P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFR20N80P.The price and lead time for IXFR20N80P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFR20N80P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOPLUS247™
ชุด:HiPerFET™, PolarHT™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 10A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):166W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:ISOPLUS247™
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:26 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4680pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:85nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 800V 11A (Tc) 166W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:11A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFR20N80P

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXFR180N085 Image IXFR180N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR20N120P Image IXFR20N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR24N50 Image IXFR24N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR200N10P Image IXFR200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR16N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR20N100P Image IXFR20N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR180N10 Image IXFR180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR24N50Q Image IXFR24N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR24N100Q3 Image IXFR24N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR180N15P Image IXFR180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR21N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR24N90P Image IXFR24N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR24N80P Image IXFR24N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR180N07 Image IXFR180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR21N100Q Image IXFR21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR18N90P Image IXFR18N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR230N20T Image IXFR230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR24N100 Image IXFR24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 การสอบสวน
IXFR180N06 Image IXFR180N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 การสอบสวน

ข่าว Latest