เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | - |
Vgs (สูงสุด): | - |
เทคโนโลยี: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247AB |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 460 mOhm @ 3A |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 15W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
ชื่ออื่น: | 1242-1164 GA03JT12247 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
ประเภท FET: | - |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 1200V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | 1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3A (Tc) (95°C) |
Email: | [email protected] |