เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
Vgs (สูงสุด): | +6V, -4V |
เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Die Outline (12-Solder Bar) |
ชุด: | eGaN® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 3A, 5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | - |
บรรจุภัณฑ์: | Tray |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Die |
ชื่ออื่น: | 917-EPC2025ENGR EPC2025ENGRC |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 194pF @ 240V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 1.85nC @ 5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 300V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |